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| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) |
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| 價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 儀器種類 | 電化學(xué)工作站 |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,石油 |
| RST3100電化學(xué)分析系統(tǒng) |
儀器簡(jiǎn)介 歡迎使用RST3100電化學(xué)分析系統(tǒng)。本分析系統(tǒng)是具有*自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的電化學(xué)分析儀器。RST3100是集電化學(xué)分析方法于一體的電化學(xué)分析通用儀器。該儀器能完成線性伏安、循環(huán)伏安、階梯伏安、脈沖伏安、方波伏安等電化學(xué)分析方法;還可以完成恒電位極化，電位階躍等多項(xiàng)電化學(xué)測(cè)試功能。RST3100數(shù)據(jù)采集與數(shù)據(jù)處理的軟件是基于Windows 2000/XP及以上版本操作系統(tǒng)的軟件，用戶界面遵守Windows軟件的設(shè)計(jì)規(guī)則，容易安裝和使用。系統(tǒng)軟件為方便使用者提供了強(qiáng)大的功能，包括文件管理，全面的實(shí)驗(yàn)控制，靈活的圖形顯示，方便的圖形放大、縮小和還原，位圖圖形和數(shù)據(jù)的導(dǎo)出，多種數(shù)據(jù)處理功能。系統(tǒng)軟件具有良好的用戶界面，全中文菜單，方便的峰識(shí)別和疊加，更為方便地為教學(xué)和科研服務(wù)。 RST3100系列產(chǎn)品全部由高品質(zhì)CMOS和BiFET集成電路組成，主要器件全部采用進(jìn)口優(yōu)質(zhì)品。PCB采用當(dāng)代EDA設(shè)計(jì)規(guī)范及工藝。采用數(shù)控低量化噪聲掃描方式，有效地降低了因掃描發(fā)生器所產(chǎn)生的階梯波的量化噪聲及差分噪聲。具有控制精度高、響應(yīng)速度快、性能穩(wěn)定、結(jié)構(gòu)緊湊、自動(dòng)化程度高的特點(diǎn)，該儀器可*由微機(jī)控制來(lái)進(jìn)行電化學(xué)分析方法測(cè)量，因此適用于高?？蒲信c教學(xué)實(shí)驗(yàn)使用。 軟件能實(shí)現(xiàn)圖形和數(shù)據(jù)同步顯示。系統(tǒng)可對(duì)測(cè)試曲線進(jìn)行數(shù)字平滑、微分和積分，能對(duì)極化曲線進(jìn)行疊加、放大和縮小，并對(duì)其進(jìn)行電化學(xué)參數(shù)解析，設(shè)備安裝簡(jiǎn)單，即插即用。用戶可以使用筆記本電腦或臺(tái)式機(jī)控制。全中文視窗軟件，界面友好、符合人們使用習(xí)慣、易學(xué)易用。 --------------------------------------------------------------------------------
主要特點(diǎn): 1.SRS公司是擁有自主產(chǎn)權(quán)的國(guó)產(chǎn)化全中文界面的電化學(xué)儀器，不讀說(shuō)明書(shū)即可操作。 2.支持Windows98/2000/ME/NT/XP系統(tǒng) 。 3.集電化學(xué)分析方法和電化學(xué)測(cè)試方法于一體。 4.溶出伏安法應(yīng)用方便，更新、富集、溶出一次完成。 5.設(shè)有過(guò)電流、過(guò)電位保護(hù)，保證了儀器在使用中因參數(shù)設(shè)置不當(dāng)，或電流溢出而保證儀器的安全。 6.儀器設(shè)有232串口和USB接口兩種模式化的通訊方式。 ----------------------------------------------------------------------------------------------- 技術(shù)參數(shù): 電位控制范圍：0-±12.8V 電位掃描分辯率 ±0.1mV 槽壓：±15V 輸出電流：±250mA 電流測(cè)量高分辯率 ±15fA A/D分辨率 24bit（<1khz），16bit（>1kHz） D/A分辨率 16bit 溫度穩(wěn)定性<10uV/℃ 電位輸出精度 0.1%±1 電流掃描范圍 ±250mA 電流測(cè)量量程 ±100nA～±250mA共14檔 電流輸出精度 0.1%±1 電位測(cè)量量程 ±0V～±12.8V CV和LSV掃描度 0.0001-10000mV/s CA和CC脈沖寬度: 0.0001-1，000sec CA和CC階躍次數(shù): 320 ACV頻率: 0.1-10kHz SWV頻率: 1-100kHz DPV和NPV脈沖寬度: 0.0001-10sec 輸入阻抗//輸入電容 >1012//<20pF 輸入偏流<20pA 數(shù)據(jù)長(zhǎng)度 128，000點(diǎn) 電極設(shè)置: 三電極或四電極設(shè)置 連續(xù)測(cè)量時(shí)間 取樣間隔＊數(shù)據(jù)長(zhǎng)度 儀器尺寸 :360＊300＊12（厘米） 儀器重量 ：3kg -------------------------------------------------------------------------------------------- 分析測(cè)試方法: 恒電位儀 單電位階躍計(jì)時(shí)電流法（I-T） 循環(huán)伏安法（CV） 多電位階躍計(jì)時(shí)電流法（I-T） 線性掃描伏安法（LSV） 單電位階躍計(jì)時(shí)電量法（Q-T） 階梯伏安法（SCV） 多電位階躍計(jì)時(shí)電量法（Q-T） Tafel圖（TAFEL） 線性掃描溶出伏安法（SCV） 計(jì)時(shí)電流法（CA） 階梯溶出伏安法（SCV） 計(jì)時(shí)電量法（CC） 方波溶出伏安法（SWV） 差示脈沖伏安法（DPV） 差示脈沖溶出伏安法（DPV） 常規(guī)脈沖伏安法（NPV） 階梯循環(huán)伏安法（SCV） 方波伏安法（SWV） 線性掃描循環(huán)伏安法（CV） 差示常規(guī)脈沖伏安法 差示脈沖循環(huán)伏安法（DPV） 恒電位電解電流-時(shí)間曲線（I-T） 恒電位溶出電流-時(shí)間曲線（I-T） 恒電位電解電量-時(shí)間曲線（Q-T） 恒電位溶出電量-時(shí)間曲線（Q-T） -------------------------------------------------------------------------------- 主要應(yīng)用領(lǐng)域： 1． 研究電化學(xué)機(jī)理。 2． 物質(zhì)的定性定量分析。 3． 常規(guī)電化學(xué)測(cè)試。 4． 生物技術(shù) 5． 納米科學(xué) 6． 傳感器研究 7 。電池研究 8 。電鍍研究 RST3000系列儀器型號(hào)比較 分 析 方 法 RST3020 RST3050 RST3060 RST3080 RST3100 線性掃描伏安法 √ √ √ √ √ 線性掃描溶出伏安法 √ √ √ √ √ 線性掃描循環(huán)伏安法 √ √ √ √ √
階梯伏安法 √ √ √ √ √ 階梯溶出伏安法 √ √ √ √ √ 階梯循環(huán)伏安法 √ √ √ √ √
方波伏安法 √ √ √ √ √ 方波溶出伏安法 √ √ √ √ √ 方波循環(huán)伏安法 √ √ √ √ √
差示脈沖伏安法 √ √ √ √ √ 差示脈溶出沖伏安法 √ √ √ √ √ 常規(guī)脈沖伏安法 √ √ √ √ √ 差示常規(guī)脈沖伏安法 √ √ √ √ √
恒電位電解I-T曲線 √ √ √ √ 恒電位電解Q-T曲線 √ √ √ √ 恒電位溶出I-T曲線 √ √ √ √ 恒電位溶出Q-T曲線 √ √ √ √
單電位階躍計(jì)時(shí)電流法 √ √ √ 單電位階躍計(jì)時(shí)電量法 √ √ √ 多電位階躍計(jì)時(shí)電流法 √ √ √ 多電位階躍計(jì)時(shí)電量法 √ √ √
電位溶出E-T曲線 √ √ 開(kāi)路電勢(shì)E-T曲線 √ √
單電流階躍計(jì)時(shí)電位法 √ 多電流階躍計(jì)時(shí)電位法 √ 控制電流E-T曲線 √ tafel圖 √ |
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